Характеристики:

Socket: LGA1366
Ядро: Bloomfield
Количество ядер: 4
Техпроцесс: 45 нм
Тактовая частота: 3067 МГц
Системная шина: QPI
Коэффициент умножения: 23
Напряжение на ядре: 0.8 B
Встроенный контроллер памяти: есть, полоса 25.6 Гб/с
Объем кэша L1: 64 Кб
Объем кэша L2: 1024 Кб
Объем кэша L3: 8192 Кб
Поддержка Hyper-Threading: есть
Инструкции: MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4
Поддержка AMD64/EM64T: есть
Поддержка NX Bit: есть
Поддержка Virtualization Technology: есть
Типичное тепловыделение: 130 Вт
Максимальная рабочая температура: 67.9 °C
Дополнительная информация: напряжение на ядре 0.80В-1.375В